신제품 일람

・C밴드~X밴드의 주요 대역을 커버 (5.6~7.1／7.1~8.5／10.0~11.7GHz), 50Ω
・Psat:+39dBm (약 8W)의 고출력. 1칩으로 시스템 최종단을 실현
・최대 30.3 dB의 고이득 ＋ 최대 32.6%의 우수한 PAE
・높은 PAR 통신 신호에 최적화된 고리니어리티 설계 (OIP3 최대 +47.1dBm typ)
・입출력은 완전 50Ω에 정합 완료. 외장 정합 회로 불필요로 즉시 실장 가능
・컴팩트한 6×6mm 28리드 QFN 패키지

・ 낮은 잡음 지수, 낮은 위상 잡음
・ 광대역에 걸친 평탄한 이득
・ 우수한 선형성
・ 견고한 유니바디 커넥터형 하우징

・0.05 ~ 10 GHz, 50Ω
・21.9dB 고이득
・고출력 P1dB +28.4dBm
・+5V 단일 전원으로 동작
・1.5 x 1.5mm QFN 패키지

・0.05 ~ 10 GHz, 50Ω
・22dB 고이득
・고출력 P1dB +21.5 dBm typ
・+6V 단일 전원으로 동작
・1.5 x 1.5mm QFN 패키지