・10 〜 6000 MHz、50Ω
・PSAT +38.5dBm typ
・6W 이상의 고출력 (PIN = +26dBm)
・35%의 고효율 PAE
・라지 시그널 게인 12dB typ
・게인 플랫니스 ±1dB 이하
・저IM3 -32dBc typ(POUT = +26dBm/톤)
・저IM5 -56dBc typ(POUT = +26dBm/톤)
・GaN-on-SiC HEMT 테크놀로지
・동작 온도 범위 -55℃ 〜 +95℃
・+28V 전원(400mA)으로 동작
・5×5mm 32핀 QFN 패키지
