PMA6-xx-10W+ Series MMIC High-Power Amplifier

단 6×6mm 풋프린트에 약 8W의 포화 출력·30dB급 고이득·30% 초과의 고효율을 응축. 내부 정합으로 설계 공수를 대폭 절감하고 고밀도 실장과 양산성을 동시에 구현하는 GaAs MMIC 파워 앰프입니다.

・약 8W (+39dBm typ)의 고출력 전력 (PSAT) ― 1칩으로 시스템 최종단을 커버
・최대 30.3 dB의 고이득 ― 증폭 단수를 줄여 시스템 구성을 심플하게
・최대 32.6%의 우수한 PAE ― 고효율 동작으로 소비 전력과 발열을 억제
・높은 OIP3 (최대 +47.1dBm typ)와 고리니어리티 설계 ― 높은 PAR (높은 피크 대 평균 전력비)의 변조 신호에서도 저왜곡 유지
・입출력을 50Ω에 완전 정합 ― 외장 정합 회로가 불필요하여 심리스하고 재현성 높은 실장을 실현
・GaAs MMIC 프로세스 기반의 견고하고 안정적인 특성
・+8V 드레인 전원으로 동작, 동작 온도 범위 -40℃~+95℃
・C밴드~X밴드의 주요 대역을 3개 모델로 커버 (5.6~7.1／7.1~8.5／10.0~11.7 GHz)
・업계 표준 6×6mm 28리드 QFN 패키지, 낮은 인덕턴스, 우수한 열전도·고밀도 설계 가능, 칩 마운터 대응
・주요 용도: 백홀 무선 시스템, 레이더 시스템, 민생용 통신 기기