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GNA-63-5W+ GaN MMIC Power Amplifier（10〜6000 MHz）
・10 〜 6000 MHz、50Ω
・PSAT +38.5dBm typ
・6W 이상의 고출력(PIN = +26dBm)
・35%의 고효율 PAE
・+28V 전원으로 동작
・5×5mm 32핀 QFN 패키지
・PSAT +38.5dBm typ
・6W 이상의 고출력(PIN = +26dBm)
・35%의 고효율 PAE
・+28V 전원으로 동작
・5×5mm 32핀 QFN 패키지
GNA-252-5W+ GaN MMIC Power Amplifier（10〜2500 MHz）
・10 〜 2500 MHz、50Ω
・PSAT +40dBm typ
・8W 이상의 고출력(PIN = +26dBm)
・47%의 고효율 PAE
・+28V 전원으로 동작
・4×4mm 20핀 QFN 패키지
・PSAT +40dBm typ
・8W 이상의 고출력(PIN = +26dBm)
・47%의 고효율 PAE
・+28V 전원으로 동작
・4×4mm 20핀 QFN 패키지
PMA6-xx-10W+ Series MMIC High-Power Amplifier
・C밴드~X밴드의 주요 대역을 커버 (5.6~7.1／7.1~8.5／10.0~11.7GHz), 50Ω
・Psat:+39dBm (약 8W)의 고출력. 1칩으로 시스템 최종단을 실현
・최대 30.3 dB의 고이득 ＋ 최대 32.6%의 우수한 PAE
・높은 PAR 통신 신호에 최적화된 고리니어리티 설계 (OIP3 최대 +47.1dBm typ)
・입출력은 완전 50Ω에 정합 완료. 외장 정합 회로 불필요로 즉시 실장 가능
・컴팩트한 6×6mm 28리드 QFN 패키지
・Psat:+39dBm (약 8W)의 고출력. 1칩으로 시스템 최종단을 실현
・최대 30.3 dB의 고이득 ＋ 최대 32.6%의 우수한 PAE
・높은 PAR 통신 신호에 최적화된 고리니어리티 설계 (OIP3 최대 +47.1dBm typ)
・입출력은 완전 50Ω에 정합 완료. 외장 정합 회로 불필요로 즉시 실장 가능
・컴팩트한 6×6mm 28리드 QFN 패키지
XAT Series Ultra-Compact 1×1 mm MMIC Fixed Attenuator
・광대역 DC~45 GHz, 50Ω
・업계 최소급 1×1mm 2단자 QFN 패키지
・높은 내입력 전력, 최대 2W
・우수한 리턴 로스 (표준 15dB)
・GaAs 프로세스 기반의 양방향·완전 흡수형 설계
・0 / 3 / 4 / 6 / 10 dB 라인업 (5 / 30 dB도 곧 출시)
・업계 최소급 1×1mm 2단자 QFN 패키지
・높은 내입력 전력, 최대 2W
・우수한 리턴 로스 (표준 15dB)
・GaAs 프로세스 기반의 양방향·완전 흡수형 설계
・0 / 3 / 4 / 6 / 10 dB 라인업 (5 / 30 dB도 곧 출시)
DC-18GHz Non-Magnetic Flex Cables
・극저온 환경 대응
・비자성 · 니켈 프리 구조
・외경 0.086인치 및 0.141인치 2종
・SMA, SMP, SSMP 커넥터 옵션
・표준 길이 10~50cm 재고 보유
・커스텀 사양 대응 가능(요청 시)
・비자성 · 니켈 프리 구조
・외경 0.086인치 및 0.141인치 2종
・SMA, SMP, SSMP 커넥터 옵션
・표준 길이 10~50cm 재고 보유
・커스텀 사양 대응 가능(요청 시)
SSG-1R5G-RC Signal Generator
・저가격
・0.01 ~ 1.5 GHz
・고출력 -60 ~ +23 dBm
・낮은 위상 잡음, 낮은 고조파
・SMA 커넥터
・0.01 ~ 1.5 GHz
・고출력 -60 ~ +23 dBm
・낮은 위상 잡음, 낮은 고조파
・SMA 커넥터
