・10 〜 2500 MHz、50Ω
・PSAT +40dBm typ
・8W 이상의 고출력(PIN = +26dBm)
・47%의 고효율 PAE
・라지 시그널 게인 13.5dB typ
・게인 플랫니스 ±0.5dB 이하
・저IM3 -30dBc typ(POUT = +26dBm/톤)
・저IM5 -57dBc typ(POUT = +26dBm/톤)
・GaN-on-SiC HEMT 테크놀로지
・동작 온도 범위 -55℃ 〜 +95℃
・+28V 전원(400mA)으로 동작
・4×4mm 20핀 QFN 패키지
